晶体管小尺寸背后的大突破

在团队成员夜以继日的努力下，他们巧妙利用石墨烯薄膜超薄的单原子层厚度和优异的导电性能作为栅极，通过石墨烯侧向电场来控制垂直的MoS2沟道的开关，终于实现最小等效物理栅长为0.34纳米。团队成功推动了摩尔定律进一步发展到亚1纳米级别，同时为二维薄膜在未来集成电路的应用提供了参考依据。

在这一技术突破的背后，是一支由青年学术人员组成的团队，加之学术“大咖”的支持，团队最终推动了微处理器领域跨越性的进步。任天令甚至开玩笑地说，“我在这里面（岁数）是最大的，除了我之外都是年轻人。”

“在摸索过程中，我们所有成员一直坚信方向的正确性，不断在小组内讨论、修改、完善，才终于走通了大规模器件的制备。”团队成员吴凡说。

在任天令眼中，这支由年轻人所组成的团队，拥有着科研探索中最难能可贵的一样品质——干劲。

“前一个晚上才熬了一个通宵，第二天又起来接着工作。”团队成员沈阳便是其中一个，不同于刚进组面对科研时的迷茫，经过一段时间与团队伙伴们的共同摸索，再加之团队老师的指导，他逐渐体会到科研的意义和乐趣。

实验室中一次又一次的数据推演、实验、修改，见证了团队一步一步迎难而上的努力，几年来的心血终归得到了回报，团队中的每一位成员都受到了极大的鼓舞。提起这些，团队成员苟广洋的言语里总是溢满了欣喜，“团队每个人都发挥出自己的优势，针对工艺和仿真过程中的问题提出了解决思路和方案，经过几年坚持不懈的努力，终于实现了目标。”